Die aktuelle MEMS-Mikrofontechnologie verwendet eine schallwellengesteuerte Membran mit einer statischen Rückelektrode. Die Dual-Backplate-MEMS-Technologie von Infineon nutzt dagegen eine Membran, die zwischen zwei Rückelektroden eingebettet ist. Das soll ein präziseres Signal für eine verbesserte Hochfrequenz-Immunität der Audiosignale erzeugen. Die akustische Verzerrung von 10 Prozent Total Harmonic Distortion (THD) wird erst bei einem Schalldruck von 135 dB SPL erreicht.
Im Vergleich zu einem herkömmlichen MEMS-Mikrofon verbessert die Infineon-Technologie nach eigener Angabe das SRV um 6 dB auf 70 dB. Damit verdoppelt sich die Entfernung, von der aus das Mikrofon die Sprachbefehle eines Benutzers noch sauber erfassen kann. Mit ±1 dB Empfindlichkeits- und ±2° Phasenübereinstimmung lassen sich die analogen und digitalen Mikrofone in Mikrofonanordnungen (Arrays) einbetten. Die MEMS-Mikrofone eignen sich deshalb für die Strahlenbündelung sowie Rauschunterdrückung.
Muster der rauscharmen analogen und digitalen MEMS-Mikrofone im Gehäuse sind ab Q4/2017 erhältlich. Die Serienproduktion soll in Q1/2018 beginnen.
