Gegenüber Vergleichsprodukten reduzieren die IR MOSFETs im PQFN-Gehäuse laut Hersteller den R DS(on) um zwischen elf und 40 Prozent, abhängig vom Bauteil. Die besonders niedrige Gate-Ladung (Q g) senkt Schaltverluste ohne negativen Einfluss auf die Leitung. Zusätzlich wurden die Ausgangskapazität (C OSS) und die Sperrverzögerungsladung (Q rr) optimiert sowie die FOMg (R DS(on) x Q g/gd) verbessert. Damit können die IR MOSFETs mit Schaltfrequenzen von bis zu 6,78 MHz betrieben werden. Zusätzlich ermöglicht die Gate-Ansteuerung auf Logikebene eine niedrige Gate-Schwellenspannung (V GS(th)). Das bedeutet, dass die MOSFETs mit 5 V und direkt von Mikrocontrollern aus angesteuert werden können.
Die IR-MOSFET-Familie steht ab sofort in den Varianten 60 V und 80 V zur Verfügung. Eine Variante mit 100 V wird zurzeit entwickelt.
