Die MOSFETs basieren auf Toshibas Super Junction DTMOS IV Deep Trench Prozess und stehen in sieben verschiedenen Gehäusen zur Verfügung. Die Bausteine können mit einer integrierten FRD (Fast Recovery Diode) ausgeliefert werden.
Der Einsatz der 650V-Serie soll in Schaltnetzteilen, Vorschaltgeräten für Beleuchtungen, Solar-Wechselrichtern und in anderen Anwendungen liegen, die eine Kombination aus schnellem Schalten, hohen Wirkungsgrad und geringen elektromagnetischen Störungen erfordern.
Die 650V-MOSFETs werden in den Gehäusevarianten D-PAK, I-PAK, D2-PAK, I2-PAK, TO-220, TO-220SIS und TO-247 ausgeliefert. Der maximale RDS(ON) liegt zwischen 1,2 und 0,055Ω.
