Der auf einem pHEMT-Design (pseudomorphic High-Electron Mobility Transistor) auf der Basis von Galliumarsenid beruhende HMC1131 eignet sich für Kommunikationssysteme, darunter auch Point-to-Point- und Point-to-Multipoint-Richtfunkstrecken sowie VSAT- und SATCOM-Anwendungen.
Der HMC1131 bringt es auf eine gesättigte Ausgangsleistung von +25 dBm mit einem PAE-Wert (Power-Added Efficiency) von 16 %. Sein kompaktes, 4 x 4 mm großes Leadless-Gehäuse ist oberflächenmontierbar.
Parameter des Treiberverstärkers HMC1131:
- Ausgangs-IP3-Wert: +35 dBm
- Verstärkung: 22 dB
- P1dB-Ausgangsleistung: 24 dBm
- DC-Versorgungsspannung: +5V bei 225 mA
- SMT-Gehäuse mit 24 Anschlüssen: 16 mm²
