18.04.2017

Infineon: StrongIRFET MOSFET für batteriebetriebene Anwendungen

Seine StrongIRFET-Familie ergänzt Infineon mit dem D²PAK 7pin+. Debei handelt es sich um einen 40-V-Baustein in neuem Gehäuse, der einen R DS(on) von 0,65mΩ bietet. Das Gehäuse ist oberflächenmontierbar und einsetzbar für Niederspannungsantriebe, batteriebetriebene Werkzeuge und elektrische Kleinfahrzeuge.


Bild: Infineon

D²PAK 7pin+ erweitert den Variantenreichtum an Gehäusen für die StrongIRFET-Familie. Das erleichtert es, den optimalen Leistungshalbleiter für spezielle Design-Anforderungen zu wählen. Die verschiedenen Optionen für die Pinbelegung ermöglichen zudem Designflexibilität. Im Vergleich zum D²PAK 7pin-Standardgehäuse liegt der R DS(on) der neuen Familie um bis zu 15 Prozent niedriger. Der thermische Widerstand von der Sperrschicht zur Leiterplatte ist um bis zu 39 Prozent geringer.



Das verbesserte Gehäuse ....

bietet Platz für einen um 20 Prozent größeren Chip, bei identischer Pinbelegung und Grundfläche im Vergleich zum Standard-Gehäuse. Aus diesem Grund lassen sich damit die traditionellen D²PAK 7pin- und H²PAK-Gehäuse ersetzten. Darüber hinaus liegt die Gate-Einsatzspannung auf Logic Level, der MOSFET kann somit direkt vom Mikrocontroller angesteuert werden. Das spart Platz auf der Leiterplatte und erhöht die Designflexibilität – z.B. bei batteriegetriebenen Werkzeugen ist das wichtig.


Der StrongIRFET steht ab sofort im neuen Gehäuse D²PAK 7pin+ zur Verfügung.


 


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