Mit der fünften Generation der 650V thinQ SiC Schottky-Dioden erweitert Infineon die Palette seiner Produkte auf Siliziumkarbid-Basis. Der Infineon-eigene Diffusionslötprozess ist nun laut Hersteller kombiniert mit einem kompakteren Design und den jüngsten Fortschritten im Bereich der Dünnwafertechnologie. Dies soll zu verbesserten thermischen Eigenschaften und einem um 30 Prozent geringeren FOM-(Figure-of-Merit-)Faktor (Q c x V f) gegenüber früheren SiC-Dioden von Infineon geführt haben.
Die neue Produktfamilie hat eine höheres Durchschlagsspannungslevel: 650V gegenüber 600V. Muster der neuen SiC Schottky-Dioden sind ab sofort verfügbar.
