Sie nutzen die Leistungsfähigkeit der GaN-Technologie und erreichen dadurch laut Infineon einen um zehn Prozent besseren Wirkungsgrad und eine fünfmal höhere Leistungsdichte als die derzeit gängigen LDMOS-Transistoren. Dies verringert den Platz- und Energiebedarf für Leistungsverstärker von derzeit verwendeten Basisstationssendern, die entweder im Frequenzbereich von 1,8 bis 2,2GHz oder 2,3 bis 2,7GHz arbeiten.


Zukünftige GaN-on-SiC-Bauteile werden zusätzlich 5G-Mobilfunkfrequenzbereichevon bis zu 6GHz unterstützen. Die Bauteile weisen die doppelte HF-Bandbreite von LDMOS-Transistoren auf, so dass ein Leistungsverstärker mehrere Betriebsfrequenzen unterstützen kann. Sie stellen den Sendern eine höhere Echtzeitbandbreite bereit, wodurch Mobilfunkbetreiber mithilfe der für 4,5G-Netzwerke entwickelten Datenverdichtungstechnik höhere Datenraten anbieten können. Entwicklungsmuster und Referenzdesigns stehen Kunden mit entsprechenden Geheimhaltungsvereinbarungen zur Verfügung.


Anfang des Jahres hatte Infineon das durch die Übernahme von International Rectifier erweiterte GaN-Portfolio vorgestellt, mit GaN-on-Silicon-(GaN/Si)-Bauteilen, einem GaN/Si-Epitaxie-Prozess und Technologien im Bereich von 100 bis 600V. Das Unternehmen hatte zudem eine strategische Partnerschaft bekanntgegeben, die auf eine Integration der Enhancement Mode-GaN-on-Silicon-Transistorstruktur in ein Gehäuse für die Oberflächenmontage von Infineon abzielt. Damit stehen 600-V-GaN-Bausteine mit der Sicherheit von zwei Lieferquellen zur Verfügung.