18.05.2017

Infineon: Full-SiC-Modul in Serienproduktion

Die Infineon Technologies AG startet mit dem Easy 1B die Volumenproduktion des ersten Full-SiC-Moduls. Weiter stellt das Unternehmen Modulplattformen und Topologien aus der Familie der 1200-V-CoolSiC-MOSFETs vor.


Easy1B in Six-Pack-Topologie (Bild: Infineon)
Das 62-mm-Modul in Halbbrücken-Konfiguration (Bild: Infineon)
Easy2B in Halbbrücken-Topologie (Bild: Infineon)

Die 1200-V-SiC-MOSFETs sind laut Infineon optimiert, um Zuverlässigkeit und Performance zu kombinieren. Die dynamischen Verluste sind um eine Größenordnung kleiner als bei vergleichbaren 1200-V-Silizium(Si)-IGBTs.

 

Die Vorteile der Trench-Technologie liegen beim 1200-V-SiC-MOSEFT in einer erweiterten Robustheit. Diese beruht auf der geringeren Fehlerrate (FIT) und der Kurzschlussfestigkeit, die an die jeweilige Anwendung angepasst werden kann. Durch eine Einsatzspannung (V th) von 4 V und die empfohlene Einschaltspannung (V GS) von +15 V lassen sich die Transistoren wie ein IGBT ansteuern und im Fehlerfall sicher abschalten. Die SiC-MOSFETs zeichnen sich durch sehr schnelle Schaltflanken aus; zusätzlich bietet die Infineon-Technologie eine Einstellbarkeit der Transienten über Gate-Vorwiderstände. Das EMV-Verhalten lässt sich damit laut Infineon leichter verbessern.

 

Easy 1B in B6-(Six-Pack)-Topologie: Das Modul ist gekennzeichnet durch die Infineon-Konfiguration mit einem Durchlasswiderstand (R DS(ON)) von jeweils 45 mΩ pro Schaltfunktion. Eine integrierte Bodydiode gewährleistet einen verlustarmen Freilauf. Das Easy 1B eignet sich für Anwendungen im Bereich Antriebe, Solar oder auch Schweißtechnik.

 

Easy 2B in Halbbrücken-Topologie: Das größere Easy-Bauteil bietet eine erweiterte Performance mit einem R DS(ON) von jeweils 8 mΩ pro Schalter. Das niederinduktive Modulkonzept ist für Applikationen mit einer Leistung von mehr als 50 kW mit schnellen Schaltvorgängen vorgesehen. Hierzu gehören Solarwechselrichter, Schnellladesysteme oder Lösungen für unterbrechungsfreie Stromversorgungen.

 

62 mm in Halbbrücken-Topologie: Eine weitere Halbbrücken-Konfiguration mit noch höherer Leistungsfähigkeit bei einem R DS(ON) von 6 mΩ pro Schaltfunktion. Die Modul-Plattform biete die Möglichkeit der niederinduktiven Anbindung von Systemen für den mittleren Leistungsbereich. Dies wird von einer Vielzahl von Applikationen genutzt, unter anderem in der Medizintechnik oder in Hilfsstromversorgungen im Bahnsektor. Wegen der großen Zahl möglicher Anwendungen für diese Baugruppe rechnet Infineon mit einer schnellen Verbreitung des Moduls. Verfügbarkeit

 

Die Produkte Easy 1B und die beiden diskreten Bauformen TO-247-3Pin und -4Pin sollen im Laufe des Jahres schrittweise in die Volumenproduktion gehen. Das Easy 1B in Halbbrücken-Konfiguration ist ab sofort erhältlich. Unterstützt wird die Markteinführung durch diverse Treiberbausteine und Demoboards, die ebenfalls ab sofort lieferbar sind. Die Produkt-Konfigurationen stehen als Muster zur Verfügung, der Serienstart ist für 2018 vorgesehen.


 


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