18.05.2017

Infineon: Full-SiC-Modul in Serienproduktion

Die Infineon Technologies AG startet mit dem Easy 1B die Volumenproduktion des ersten Full-SiC-Moduls. Weiter stellt das Unternehmen Modulplattformen und Topologien aus der Familie der 1200-V-CoolSiC-MOSFETs vor.


Easy1B in Six-Pack-Topologie (Bild: Infineon)
Das 62-mm-Modul in Halbbr√ľcken-Konfiguration (Bild: Infineon)
Easy2B in Halbbr√ľcken-Topologie (Bild: Infineon)

Die 1200-V-SiC-MOSFETs sind laut Infineon optimiert, um Zuverlässigkeit und Performance zu kombinieren. Die dynamischen Verluste sind um eine Größenordnung kleiner als bei vergleichbaren 1200-V-Silizium(Si)-IGBTs.

 

Die Vorteile der Trench-Technologie liegen beim 1200-V-SiC-MOSEFT in einer erweiterten Robustheit. Diese beruht auf der geringeren Fehlerrate (FIT) und der Kurzschlussfestigkeit, die an die jeweilige Anwendung angepasst werden kann. Durch eine Einsatzspannung (V th) von 4 V und die empfohlene Einschaltspannung (V GS) von +15 V lassen sich die Transistoren wie ein IGBT ansteuern und im Fehlerfall sicher abschalten. Die SiC-MOSFETs zeichnen sich durch sehr schnelle Schaltflanken aus; zus√§tzlich bietet die Infineon-Technologie eine Einstellbarkeit der Transienten √ľber Gate-Vorwiderst√§nde. Das EMV-Verhalten l√§sst sich damit laut Infineon leichter verbessern.

 

Easy 1B in B6-(Six-Pack)-Topologie: Das Modul ist gekennzeichnet durch die Infineon-Konfiguration mit einem Durchlasswiderstand (R DS(ON)) von jeweils 45 mő© pro Schaltfunktion. Eine integrierte Bodydiode gew√§hrleistet einen verlustarmen Freilauf. Das Easy 1B eignet sich f√ľr Anwendungen im Bereich Antriebe, Solar oder auch Schwei√ütechnik.

 

Easy 2B in Halbbr√ľcken-Topologie: Das gr√∂√üere Easy-Bauteil bietet eine erweiterte Performance mit einem R DS(ON) von jeweils 8 mő© pro Schalter. Das niederinduktive Modulkonzept ist f√ľr Applikationen mit einer Leistung von mehr als 50 kW mit schnellen Schaltvorg√§ngen vorgesehen. Hierzu geh√∂ren Solarwechselrichter, Schnellladesysteme oder L√∂sungen f√ľr unterbrechungsfreie Stromversorgungen.

 

62 mm in Halbbr√ľcken-Topologie: Eine weitere Halbbr√ľcken-Konfiguration mit noch h√∂herer Leistungsf√§higkeit bei einem R DS(ON) von 6 mő© pro Schaltfunktion. Die Modul-Plattform biete die M√∂glichkeit der niederinduktiven Anbindung von Systemen f√ľr den mittleren Leistungsbereich. Dies wird von einer Vielzahl von Applikationen genutzt, unter anderem in der Medizintechnik oder in Hilfsstromversorgungen im Bahnsektor. Wegen der gro√üen Zahl m√∂glicher Anwendungen f√ľr diese Baugruppe rechnet Infineon mit einer schnellen Verbreitung des Moduls. Verf√ľgbarkeit

 

Die Produkte Easy 1B und die beiden diskreten Bauformen TO-247-3Pin und -4Pin sollen im Laufe des Jahres schrittweise in die Volumenproduktion gehen. Das Easy 1B in Halbbr√ľcken-Konfiguration ist ab sofort erh√§ltlich. Unterst√ľtzt wird die Markteinf√ľhrung durch diverse Treiberbausteine und Demoboards, die ebenfalls ab sofort lieferbar sind. Die Produkt-Konfigurationen stehen als Muster zur Verf√ľgung, der Serienstart ist f√ľr 2018 vorgesehen.


 


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