18.05.2017

Infineon: Full-SiC-Modul in Serienproduktion

Die Infineon Technologies AG startet mit dem Easy 1B die Volumenproduktion des ersten Full-SiC-Moduls. Weiter stellt das Unternehmen Modulplattformen und Topologien aus der Familie der 1200-V-CoolSiC-MOSFETs vor.


Easy1B in Six-Pack-Topologie (Bild: Infineon)
Das 62-mm-Modul in Halbbr├╝cken-Konfiguration (Bild: Infineon)
Easy2B in Halbbr├╝cken-Topologie (Bild: Infineon)

Die 1200-V-SiC-MOSFETs sind laut Infineon optimiert, um Zuverl├Ąssigkeit und Performance zu kombinieren. Die dynamischen Verluste sind um eine Gr├Â├čenordnung kleiner als bei vergleichbaren 1200-V-Silizium(Si)-IGBTs.

 

Die Vorteile der Trench-Technologie liegen beim 1200-V-SiC-MOSEFT in einer erweiterten Robustheit. Diese beruht auf der geringeren Fehlerrate (FIT) und der Kurzschlussfestigkeit, die an die jeweilige Anwendung angepasst werden kann. Durch eine Einsatzspannung (V th) von 4 V und die empfohlene Einschaltspannung (V GS) von +15 V lassen sich die Transistoren wie ein IGBT ansteuern und im Fehlerfall sicher abschalten. Die SiC-MOSFETs zeichnen sich durch sehr schnelle Schaltflanken aus; zus├Ątzlich bietet die Infineon-Technologie eine Einstellbarkeit der Transienten ├╝ber Gate-Vorwiderst├Ąnde. Das EMV-Verhalten l├Ąsst sich damit laut Infineon leichter verbessern.

 

Easy 1B in B6-(Six-Pack)-Topologie: Das Modul ist gekennzeichnet durch die Infineon-Konfiguration mit einem Durchlasswiderstand (R DS(ON)) von jeweils 45 m╬ę pro Schaltfunktion. Eine integrierte Bodydiode gew├Ąhrleistet einen verlustarmen Freilauf. Das Easy 1B eignet sich f├╝r Anwendungen im Bereich Antriebe, Solar oder auch Schwei├čtechnik.

 

Easy 2B in Halbbr├╝cken-Topologie: Das gr├Â├čere Easy-Bauteil bietet eine erweiterte Performance mit einem R DS(ON) von jeweils 8 m╬ę pro Schalter. Das niederinduktive Modulkonzept ist f├╝r Applikationen mit einer Leistung von mehr als 50 kW mit schnellen Schaltvorg├Ąngen vorgesehen. Hierzu geh├Âren Solarwechselrichter, Schnellladesysteme oder L├Âsungen f├╝r unterbrechungsfreie Stromversorgungen.

 

62 mm in Halbbr├╝cken-Topologie: Eine weitere Halbbr├╝cken-Konfiguration mit noch h├Âherer Leistungsf├Ąhigkeit bei einem R DS(ON) von 6 m╬ę pro Schaltfunktion. Die Modul-Plattform biete die M├Âglichkeit der niederinduktiven Anbindung von Systemen f├╝r den mittleren Leistungsbereich. Dies wird von einer Vielzahl von Applikationen genutzt, unter anderem in der Medizintechnik oder in Hilfsstromversorgungen im Bahnsektor. Wegen der gro├čen Zahl m├Âglicher Anwendungen f├╝r diese Baugruppe rechnet Infineon mit einer schnellen Verbreitung des Moduls. Verf├╝gbarkeit

 

Die Produkte Easy 1B und die beiden diskreten Bauformen TO-247-3Pin und -4Pin sollen im Laufe des Jahres schrittweise in die Volumenproduktion gehen. Das Easy 1B in Halbbr├╝cken-Konfiguration ist ab sofort erh├Ąltlich. Unterst├╝tzt wird die Markteinf├╝hrung durch diverse Treiberbausteine und Demoboards, die ebenfalls ab sofort lieferbar sind. Die Produkt-Konfigurationen stehen als Muster zur Verf├╝gung, der Serienstart ist f├╝r 2018 vorgesehen.


 


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