18.05.2017

Infineon: Full-SiC-Modul in Serienproduktion

Die Infineon Technologies AG startet mit dem Easy 1B die Volumenproduktion des ersten Full-SiC-Moduls. Weiter stellt das Unternehmen Modulplattformen und Topologien aus der Familie der 1200-V-CoolSiC-MOSFETs vor.


Easy1B in Six-Pack-Topologie (Bild: Infineon)
Das 62-mm-Modul in HalbbrĂŒcken-Konfiguration (Bild: Infineon)
Easy2B in HalbbrĂŒcken-Topologie (Bild: Infineon)

Die 1200-V-SiC-MOSFETs sind laut Infineon optimiert, um ZuverlĂ€ssigkeit und Performance zu kombinieren. Die dynamischen Verluste sind um eine GrĂ¶ĂŸenordnung kleiner als bei vergleichbaren 1200-V-Silizium(Si)-IGBTs.

 

Die Vorteile der Trench-Technologie liegen beim 1200-V-SiC-MOSEFT in einer erweiterten Robustheit. Diese beruht auf der geringeren Fehlerrate (FIT) und der Kurzschlussfestigkeit, die an die jeweilige Anwendung angepasst werden kann. Durch eine Einsatzspannung (V th) von 4 V und die empfohlene Einschaltspannung (V GS) von +15 V lassen sich die Transistoren wie ein IGBT ansteuern und im Fehlerfall sicher abschalten. Die SiC-MOSFETs zeichnen sich durch sehr schnelle Schaltflanken aus; zusĂ€tzlich bietet die Infineon-Technologie eine Einstellbarkeit der Transienten ĂŒber Gate-VorwiderstĂ€nde. Das EMV-Verhalten lĂ€sst sich damit laut Infineon leichter verbessern.

 

Easy 1B in B6-(Six-Pack)-Topologie: Das Modul ist gekennzeichnet durch die Infineon-Konfiguration mit einem Durchlasswiderstand (R DS(ON)) von jeweils 45 mΩ pro Schaltfunktion. Eine integrierte Bodydiode gewĂ€hrleistet einen verlustarmen Freilauf. Das Easy 1B eignet sich fĂŒr Anwendungen im Bereich Antriebe, Solar oder auch Schweißtechnik.

 

Easy 2B in HalbbrĂŒcken-Topologie: Das grĂ¶ĂŸere Easy-Bauteil bietet eine erweiterte Performance mit einem R DS(ON) von jeweils 8 mΩ pro Schalter. Das niederinduktive Modulkonzept ist fĂŒr Applikationen mit einer Leistung von mehr als 50 kW mit schnellen SchaltvorgĂ€ngen vorgesehen. Hierzu gehören Solarwechselrichter, Schnellladesysteme oder Lösungen fĂŒr unterbrechungsfreie Stromversorgungen.

 

62 mm in HalbbrĂŒcken-Topologie: Eine weitere HalbbrĂŒcken-Konfiguration mit noch höherer LeistungsfĂ€higkeit bei einem R DS(ON) von 6 mΩ pro Schaltfunktion. Die Modul-Plattform biete die Möglichkeit der niederinduktiven Anbindung von Systemen fĂŒr den mittleren Leistungsbereich. Dies wird von einer Vielzahl von Applikationen genutzt, unter anderem in der Medizintechnik oder in Hilfsstromversorgungen im Bahnsektor. Wegen der großen Zahl möglicher Anwendungen fĂŒr diese Baugruppe rechnet Infineon mit einer schnellen Verbreitung des Moduls. VerfĂŒgbarkeit

 

Die Produkte Easy 1B und die beiden diskreten Bauformen TO-247-3Pin und -4Pin sollen im Laufe des Jahres schrittweise in die Volumenproduktion gehen. Das Easy 1B in HalbbrĂŒcken-Konfiguration ist ab sofort erhĂ€ltlich. UnterstĂŒtzt wird die MarkteinfĂŒhrung durch diverse Treiberbausteine und Demoboards, die ebenfalls ab sofort lieferbar sind. Die Produkt-Konfigurationen stehen als Muster zur VerfĂŒgung, der Serienstart ist fĂŒr 2018 vorgesehen.


 


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