Die CoolSiC Schottky-Diode 650V G6 verfügt über ein neues Layout, eine neue Zellstruktur und ein neues proprietäres Schottky-Metallsystem. Daraus resultiert ein Wert für die Durchlassspannung VF von 1,25V und eine Kennzahl für Q c x V F, die um 17 Prozent niedriger liegt als bei der Vorgängergeneration. Wegen der besonderen Eigenschaften des Siliziumkarbids schaltet die Diode temperaturunabhängig und weist keine Sperr-Erholladung auf.
Das Design des Bausteins bietet laut Hersteller einen verbesserten Wirkungsgrad über alle Lastfälle hinweg bei gleichzeitig erhöhter Leistungsdichte des Systems. Die Diode sorgt für einen reduzierten Kühlungsbedarf, erhöhte Systemzuverlässigkeit und schnelles Schalten. Sie ist ab sofort lieferbar.
Infineon: 650V-Schottky-Diode in SiC-Technologie
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