IGBTs - neue Gehäuse erhöhen die Leistungsdichte

PRODUKT NEWS

Infineon erweitert das Produktangebot an diskreten 1200-V-Bauelementen mit IGBTs in Stromklassen bis 75A. Sowohl der IGBT- als auch der Dioden-Chip sind auf den vollen Nennstrom ausgelegt. Sie sind in einem TO-247PLUS-Gehäuse in den Ausführungen 3- und 4-Pin verbaut.



Das neue Gehäuse ermöglicht laut Anbieter eine höhere Leistungsdichte und Effizienz bei diskreten Bauformen. Typische Anwendungen, die Sperrspannungen von 1200 V erfordern und von diesen Vorzügen profitieren, sind Antriebe, Solaranlagen und unterbrechungsfreie Stromversorgungen. Weitere Anwendungsgebiete dieser IGBTs sind Batterielade- und Energiespeichersysteme.

 

Im Vergleich zum regulären TO-247-3-Gehäuse weist das neue TO-247PLUS-Gehäuse den doppelten Nennstrom auf. Durch den Wegfall des Schraubenlochs verfügt es über einen größeren Lead-Frame-Bereich und kann entsprechend größere IGBT-Chips aufnehmen. Damit gibt es erstmals eine Kombination bestehend aus 1200 V IGBT und Diode mit jeweils 75 A in derselben kleinen Baugröße. Darüber hinaus sorgt der größere Lead-Frame des TO-247PLUS für einen geringeren thermischen Widerstand und eine verbesserte Wärmeleitfähigkeit.

 

Entwickler, die großen Wert auf niedrige Schaltverluste legen, wählen das TO-247PLUS-Gehäuse mit vier Anschlüssen. Dieses verfügt über einen gesonderten Pin für den Kelvin-Emitter. Er erlaubt eine Entkopplung des Gate- und des Kommutierungskreises und reduziert so die gesamten Schaltverluste E (ts) um mehr als 20 Prozent.

 

Der 1200-V-IGBT im Gehäuse TO-247PLUS und TO-247PLUS-4-Pin ist lieferbar. Das Produktportfolio besteht aus IGBTs in 40 A, 50 A und 75 A, jeweils mit einer Freilaufdiode in derselben Stromstärke.

Fachartikel