Das Design verbessert laut Infineon die Schaltleistung auf bis zu 6 bis 10 MW bei einer maximalen Sperrschichttemperatur von 140°C. Im Vergleich zu einem freischwingenden Kontakt ohne feste metallurgische Verbindung zwischen Silizium und Molybdänträger ist der thermische Widerstand des Bauteils mit Bonds um rund 20 Prozent geringer.
Die IGBT-Freilaufdiode im Press-Pack-Gehäuse ist ab sofort mit einer Sperrspannung von 4,5 kV verfügbar. Die Dioden gibt es mit drei unterschiedlichen Silizium-Durchmessern: D1600U45X122, D2700U45X122 und D4600U45X172.