18.05.2017

Gatetreiber für SiC-MOSFETs

Rohm Semiconductor präsentiert eine Serie isolierter Gatetreiber-ICs. Als erstes Produkt der Familie erscheint der AEC-Q100-qualifizierte Gatetreiber BM61S40RFV mit 3,75 kV Isolationsspannung, ausgelegt für die SiC-Leistungs-MOSFETs von Rohm.


Bild: Rohm
Bild: Rohm

Der Baustein erreicht einen Ausgangsstrom von 4 A, verfügt über eine eingebaute Miller-Clamp-Funktion zur Vermeidung parasitärer Einschaltvorgänge und besitzt eine integrierte Unterspannungs-Sperre (Under-Voltage Lock-Out – UVLO). Letztere ist ein Sicherheits-Feature, das thermisches Durchgehen und daraus resultierende mögliche Schäden am Leistungsschalter verhindert. Die Integration dieser Funktion in den Gatetreiber optimiert den Aufwand an externen Bauelementen und gewährleistet die Einhaltung der spezifischen Forderungen von Industrie- und Automotive-Anwendungen nach erhöhter Sicherheit (z. B. gemäß ASIL B, C oder D für den Automotive- bzw. SIL 2, 3 oder 4 für den Industrie-Bereich).

 

Zu Erzeugung der notwendigen, isolierten Treiberversorgung empfiehlt Rohm den BD7F100HFN als Companion-IC zur Implementierung eines Sperrwandlers. Von Rohm gibt es ein kleines Evaluation Board, das mit dem BD7F100HFN und dem Gatetreiber-IC BM61S40RFV bestückt ist.

 

Spezifikationen:

 

  • Isolationsspannung: 3,750 Vrms
  • Spannung VCC1: 4,5 - 5,5 V
  • Spannung VCC2: 16 - 24 V
  • Spannung UVLO2: 14,5 V (Typ)
  • Betriebstemperatur: -40 - +125 °C
  • I/O-Signallaufzeit (max.): 60 ns
  • Laufzeitanpassung: 20 ns
  • Ausgangsstrom: 4 A
  • Gehäuse: SSOP-B10W (3,50 mm x 10,20 mm x 1,9 mm)

 

 

 


 


--> -->