Darüber hinaus steht damit ein Ersatz für die Röhrentechnik in kommerziellen Radarsystemen beispielsweise für Wetter-, Schifffahrts- und Überwachungsanwendungen zur Verfügung. Die GaN-DFN-Transistoren basieren auf dem 40-V-Hochfrequenzprozess des Unternehmens mit 0,25 µm Gatterlänge.
In kapazitätsstarken Mikrowellen-Datenverbindungen beispielsweise für die Firmen- und Richtfunk-Kommunikation sowie luftgestützte Kommunikationssysteme sorgen die Transistoren für mehr Reichweite, während sie gleichzeitig die doppelte lineare Effizienz bieten wie Verstärker auf GaAs-Basis.
Die DFN-Bausteine (DFN: Dual-Flat No-Leads) eignen sich auch als Treiber für die X-Band-FETs CGHV96100 und CGHV96050F2, so dass die Transistoren der Ausgangs- und der Treiberstufe an der selben Spannung betrieben werden können. Muster sowie Referenzdesigns für C- und X-Band-Anwendungen mit den GaN-DFN-Transistoren sind verfügbar. Außerdem gibt es Großsignal-Modelle für die Simulation mit Agilent ADS und AWR Microwave Office.
GaN-Transistoren mit 6 und 25 W
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