Fotorelais für hohe Lastströme

PRODUKT NEWS

Toshiba Electronics Europe bringt fünf Fotorelais in DIP4- und DIP6-Gehäusen. Diese Erweiterungen des Fotorelais-Portfolios enthalten MOSFETs, die mit dem Toshibas U-MOS VIII-Prozess hergestellt werden.



Es handelt sich um fünf neue Fotorelais (TLP3543A, TLP3545A, TLP3546A, TLP3556A und TLP3558A). Zusammen bieten sie mehrere Optionen mit einer Spitzensperrspannung (VOFF) im Bereich zwischen 30 V und 200 V sowie einem Dauerlaststrom (ION) zwischen 0,7 A und 5,0 A. Das ist der nach Angabe des Herstellers branchenweit höchste Wert in einem DIP6-Gehäuse. Die RON-Werte liegen bei 20 mΩ für die Version mit 30 V. Befinden sich die Fotorelais nicht in Betrieb, beträgt der Leckstrom (IOFF) maximal 1μA.

 

Die Bausteine arbeiten bei einer Nennbetriebstemperatur bis maximal 110 °C (max). Darüber hinaus bieten die neuen Fotorelais einen Laststrom (transient/gepulst) (IONP), der dreimal höher ist als der Laststrom bei kontinuierlichem Betrieb.

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