Cree: 900 V SiC-MOSFET

PRODUKT NEWS

Cree stellt mit der nach eigener Angabe ersten Siliziumkarbid-basierten 900 V MOSFET-Plattform der Industrie seinen jüngsten SiC-Leistungshalbleiter vor. Die 900 V Plattform ist für Leistungselektronik-Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen optimiert, zu denen Wechselrichter für Erneuerbare Energien, Ladesysteme für Elektrofahrzeuge und Dreiphasen-Industriestromversorgungen gehören.



Auf der Basis seiner SiC-Planartechnologie baut Cree mit der 900 V SiC-MOSFET-Plattform sein Produktportfolio aus. Das Leitprodukt C3M0065090J bietet mit 65 mΩ laut Hersteller den niedrigsten Einschaltwiderstand aller derzeit auf dem Markt angebotenen 900 V MOSFETs. Außerdem ist der neue Baustein, abgesehen von den Industriestandard-Gehäusen TO247-3 und TO220-3, auch mit einem oberflächenmontierbaren D2Pak-7L-Gehäuse lieferbar. Die Kriechstrecke dieses Gehäuses wurde zudem auf über 7 mm erhöht. Es eignet sich daher für Hochspannungsanwendungen ohne zusätzlich nötige Isolation der Pins.

 

Der C3M0065090J ist für 900 V und 32 A spezifiziert und besitzt bei 25 °C einen RDS(on) von 65 mΩ. Bei höheren Temperaturen (TJ = 150 °C) steigt der RDS(on) auf 90 mΩ an.

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