Der SiP32101 spart 91% Leiterplattenfläche im Vergleich zu diskreten MOSFETs. Er befindet sich in einem 12-poligen WCSP-Gehäuse. Batterieschalterlösungen auf der Basis diskreter MOSFETs erfordern drei Bauteile und beanspruchen typischerweise etwa 26 mm² Leiterplattenfläche.


Der SiP32101 hat hingegen eine Grundfläche von 2,3 mm²; zudem ersetzt er drei Bauteile und vereinfacht dadurch das Design. Außerdem besitzt das Bauteil einen Active-low-Enable-Anschluss, der direkt durch Niederspannungs-GPIOs angesteuert werden kann. Dadurch erübrigt sich eine zusätzliche Pegelschieberschaltung oder ein Gate-Treiber für höhere Spannungen.


Ein interner Pull-down-Widerstand am EN-Anschluss verhindert im abgeschalteten Zustand ein sporadisches Einschalten bei eventuell hochohmigem GPIO-Ausgang. Der On-Widerstand von 6,5 mΩ bei 3,3V verringert die Leistungsverluste und erhöht die Energieeffizienz.


Durch seinen Eingangsspannungsbereich von 2,3V bis 5,5V und das sanfte Einschaltverhalten (2ms Einschaltzeit), das den Einschalt-Spitzenstrom verringert, ist der SiP32101 eine Lösung zum Schalten von Batterien mit großer Kapazität und Hochstromlasten.


Der Lastschalter hat einen Ruhestrom von 0,015nA und einen Shutdown-Strom von 0,01nA. Der Batterieschalter im 1,3mm x 1,7mm x 0,55mm großen WCSP-Gehäuse ist für den Betriebstemperaturbereich von -40°C bis +85°C spezifiziert, RoHS-konform und halogenfrei.