Über die Nennspannung von 200 V hinaus, die zweimal so hoch sein soll wie die der Konkurrenz, weist der ZXGD3111N7 eine Abschalt-Schwellenspannung mit einer Toleranz von -5 mV bis -1 mV auf. Dadurch wird die Stabilität unter Leichtlastbedingungen verbessert, wenn MOSFETs mit niedrigem RDS(ON) Verwendung finden.
Der ZXGD3111N7 ist zur Zusammenarbeit mit einem FET ausgelegt und schafft so eine ideale Diode, welche die normalerweise in Common-Rail-Designs eingesetzten Sperrdioden ersetzt. Ein möglicher Sink-Strom von 5 A erlaubt eine schnelle Entladung der Gates in parallelgeschalteten, Oder-verknüpften MOSFETs, und seine rasche Abschaltspezifikation von <600ns vermeidet einen Rückwärts-Stromfluss sowie jedweden Spannungsabfall auf der Common Rail. Der Baustein ist durch einen Standby-Leistungsverbrauch von <50 mW mit einem Ruhestrom von <1 mA gekennzeichnet.
Der Preis des ZXGD3111N7 in einem SO-7-Gehäuse beträgt 1,10 USD bei Abnahme von 2.500 Stück.
