Dank ihrer Stoßstromfestigkeit sind sie für den Einsatz in Stromversorgungs-Schaltungen geeignet. SiC-Dioden zeichnen sich gegenüber Silizium-Bauelementen durch ein stabileres Temperaturverhalten und extrem kurze Sperrverzögerungszeiten aus, was sie für schnelle Schaltanwendungen geeignet macht.
Die durch eine extrem stabile und geringe Vorwärtsspannung bei hohen Temperaturen gekennzeichneten SiC-SBDs garantieren darüber hinaus einen minimalen Rückstrom. Im Unterschied zur Single-SBD-Struktur der ersten Generation enthält die dritte Generation ergänzend zur Schottky-Barriere auch eine PN-Sperrschicht, was zusätzlich für Langlebigkeit im bipolaren Betrieb sorgt.
Technische Eckdaten Wi (650V/10A-Version)
- VF bei 10A und 25°C: 1,35V (typ.)
- VF bei 10A und 150°C: 1,44V (typ.)
- IR bei 25°C: 0,03μA (typ.) bei 650V
- Maximaltemperatur: 175°C
- IFSM (50Hz, 1 Impuls): 82A
Verfügbarkeit
Die SiC-SBDs der dritten Generation im TO-220AC-Gehäuse sind laut Anbieter jetzt lieferbar. Versionen mit niedrigeren Nennströmen und D2pak-Gehäuse (LPTL) sollen ab Juni verfügbar sein.
