Der GaN-Leistungstransistor bietet laut GaN Systems unter allen vergleichbaren Produkten am Markt mit 60A die höchste Strombelastbarkeit. Der E-Mode-Leistungsschalter GS65516T650V verwendet die im März dieses Jahres von GaN Systems vorgestellte, proprietäre Technologie mit oberseitiger Kühlung, die es ermöglicht, das Bauteil mit Hilfe herkömmlicher Kühlkörper- oder Lüfter-Kühltechniken zu kühlen.
Der Transistor basiert auf GaN Systems "Ultra-low-FOM-Island-Technology"-Die-Design, besitzt ein GaNPX-Gehäuse und ist 9,0mm x 7,6mm x 0,45mm groß.
Der 650V-E-HEMT GS65516T widersteht Rückströmen, verfügt über einen internen Source Sense und ist frei von Reverse-Recovery-Verlusten. Der Transistor besitzt zwei Gate-Pads. Der GS65516T eignet sich für Hochfrequenz-Spannungswandler-Anwendungen wie On-board-Akkuladegeräte, 400V-Gleichspannungswandler, Wechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS), VFD-Motorsteuerungen, AC/DC-Stromversorgungen (PFC und primär) und VHF-Netzadapter.
