Mit dem optimierten Chip-Design erreicht die π-MOS IX Serie laut Hersteller in der Spitze bis zu 5dB weniger elektromagnetische Abstrahlung als die aktuelle die Generation (π-MOS VII Serie). Zu der ersten π-MOS IX Serie gehören die Bauteile TK1K9A60F, TK1K2A60F, TK750A60F und TK650A60F mit RDS(ON)-Werten zwischen 1,9 Ohm und 0,65 Ohm. Sie haben denselben Avalanche-Strom und Gleichstrom (ID).
Die Bausteine sind in einem Standard TO-220SIS Gehäuse untergebracht. Toshiba will die π-MOS IX Serie durch zusätzliche 600 V Bausteine sowie Varianten mit 500 V und 650 V erweitern.