30V-MOSFETs im TSON-Advance-Gehäuse

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Toshiba Electronics Europe erweitert sein Angebot an 30-V-Leistungs-MOSFETs um die Bausteine der TPCx-Reihe. Sie sind für eine DC/DC-Wandlung mit synchroner Gleichrichtung geeignet und befinden sich im TSON-Advance-Gehäuse. Es schließt die Lücke zwischen den Standard-SOT23- und SOP8-Gehäuseformaten und hat Abmessungen von 3,3mm x 3,3mm. Es nimmt damit 64% weniger Fläche als SOP-8-Bausteine ein bei gleicher Belastbarkeit.

 

Die MOSFETs bieten eine maximale UDSS von 30V und eine maximale UGSS von ±20V. Typische RDS(ON)-Werte (UGS = 10V) reichen von 20mΩ bis hinab auf 6mΩ – je nach gewähltem Baustein. Die TPC806x-H- und TPC822x-H-Bausteine werden im SOP-8- bzw. im Dual-Chip-SOP-8-Gehäuse ausgeliefert; die TPCC806x-H-Varianten im TSON-Advanced-Gehäuse. Mit ihrer metallischen Grundplatte erlauben diese eine Verlustleistung von 1,9W.

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