25-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET

PRODUKT NEWS

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Bild: Vishay

Vishay präsentiert einen 25-V-n-Kanal-TrenchFET Leistungs-MOSFET, der nach eigener Angabe unter allen vergleichbaren Wettbewerbsprodukten den kleinsten On-Widerstand, nämlich 0,58mΩ bei 10V Gate-Source-Spannung, aufweist.

Der Leistungs-MOSFET im 6mm x 5mm großen PowerPAK-SO-8-Gehäuse ist laut Vishay einer von weltweit zwei 25-V-MOSFETs mit einem maximalen On-Widerstand von weniger als 0,6mΩ. Zum Vergleich: Der SiRA20DP hat eine typische Gate-Ladung von 61nC und ein 32% kleineres FOM von 0,035Ω•nC. Alle anderen 25-V-n-Kanal-MOSFETs haben einen um mindestens 11% größeren On-Widerstand.

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