2-in-1-MOSFETs als Lastschalter in Mobilgeräten

PRODUKT NEWS STROMVERSORGUNG DC/DC-WANDLER LINEAR REGLER

Toshiba Electronics Europe stellt mit dem SSM6L61NU und SSM6N61NU zwei 2-in-1-MOSFETs im SOT-1118 (UDFN6) Gehäuse vor. Sie weisen einen Durchlasswiderstand von RDS(ON)=25 mΩ (typ.) @ UGS=4,5V für den N-Kanaltypen auf.



Die Bausteine eignen sich als Leistungsschalter und für DC/DC-Wandler in Mobilgeräten wie Smartphones und Tablets sowie für Batteriemanagement-Anwendungen und als Lastschalter in Anwendungen mit USB-Typ-C-Schnittstellen. Der SSM6L61NU ist die komplementäre Kombination eines P-Kanal- und N-Kanal-MOSFETs; der SSM6N61NU ist ein Dual-N-Kanal-Baustein.


In Anwendungen mit USB-Typ-C-Schnittstellen können beide Bausteine direkt an die Ausgangsspannung des Power-Management-ICs oder des SoC (System on a Chip) aber auch in anderen Teilen des Schaltkreises platziert werden. Das 2mm x 2mm Gehäuse verbessert die Wärmeableitung (PD=1W).

Fachartikel