Beide Derivate unterstützen eine 4,5-V-Logiklevel-Ansteuerung, was die die pufferlose Ansteuerung des Controllers erlaubt. Gefertigt werden diese Bauteile im U-MOS-VIII-H-Trench-Prozess von Toshiba.
Die MOSFETs befinden sich im SOP-Advance-Gehäuse mit einer Grundfläche von 5mm x 6mm und einer Bauhöhe von 0,95 mm. Durch den verbesserten FoM-Faktor (Figure-of-Merit) wird die Leistungsfähigkeit in Schaltanwendungen gesteigert. Die geringe Ausgangsladung reduziert Ausgangsverluste, was zu einer höheren Systemeffizienz beiträgt. Beide Bauteile sind in Musterstückzahlen bei Glyn verfügbar.
100-V-MOSFETs im SOP-Advance-Gehäuse
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