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P-Kanal-MOSFETs mit minimal 4,2 mΩ On-Widerstand 17-07-12
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Fünf P-Kanal-MOSFETs von Renesas Electronics hat MSC in ihr Vertriebsprogramm aufgenommen. Die Bauteile wurden laut Anbieter für den Einsatz in Ladekontroll-Schaltern für Lithium-Ionen-Sekundärbatterien oder Power-Management-Schaltern zum Ein- und Ausschalten von Netzgeräten optimiert.

 

Spitzenmodel ist der in einem nur 3,3 x 3,3 mm2 großen HVSON-Gehäuse untergebrachte P-Kanal-MOSFET µPA2812T1L mit einem typischen Arbeitswiderstand von 4,2 mΩ. Das HVSON-Gehäuse ist so ausgelegt, dass die Verlustwärme aus dem Inneren des Gehäuses über den offen liegenden Lead-Frame an die Leiterplatte abgegeben werden kann.









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