Um insbesondere ein Projekt zur Entwicklung einer innovativen SSL-Technologie weiterzuverfolgen, erwarb Toshiba einen Anteil nicht genannten Umfanges an Bridgelux. Dieser Schritt soll die weitere Entwicklung der Bridgelux-Technologie für GaN-on-Si-LEDs auf Basis der Siliziumverarbeitungs- und Produktionstechnologien von Toshiba voranbringen. ööööööööööööööööööööööööö Aktuell vermelden die beiden Unternehmen, das sie auf einem 8-Zoll-Wafer aus Galliumnitrid auf Silizium (GaN-on-Si) eine Lichtausbeute von 614mW, <3,1V bei 350mA mit einem 1,1 mm2 Chip erzielt haben. Es ist das Ergebnis gemeinsamer Entwicklungsaktivitäten, die beide Unternehmen vor einigen Monaten in einer Kooperationsvereinbarung beschlossen hatten.