EMI-geschützter Verstärker für Drucksensor-Signale [zum Vergrößern in das Bild klicken]

Mit dem Ziel, die Probleme im Zusammenhang mit elektromagnetischen Interferenzen zu überwinden, entwickelte National Semiconductor Operationsverstärker mit erhöhter EMI-Inimunität.

In der vorliegenden Demonstration kommt ein Drucksensor mit zwei Schnittstellen, nämlich einem konventionellen und einem EMI-geschützen Interface, zum Einsatz. An einer festgelegten Position in einigen Zentimetern Entfernung von den Operationsverstärkern wird ein Mobiltelefon platziert. Wenn dieses Telefon angerufen wird, wirkt das von ihm ausgesendete HF-Signal auf die Operationsverstärker ein. Im Falle des konventionellen Operationsverstärkers bewirkt das vom Mobiltelefon abgestrahlte HFSignal eine Veränderung von VOUT um mehr als 1 V, während beim EMT-geschützten LMV851 keine nennenswerten Auswirkungen feststellbar sind.

Die Digitalisierung beider Ausgänge erfolgt mit einem gleichzeitig abtastenden A/D-Wandler mit zwei Kanälen und 12 Bit Auflösung.

Bauelemente in dieser Demonstration:

• LMV851:Stromsparender 8MHz-Single-Operationsverstärker in CMOS-Technik und EMI-geschützter Ausführung
• ADC122S706: Zweikanaliger A/D-Wandler mit gleichzeitiger Abtastung und einer Abtastrate zwischen 500 KSPS und 1 MSPS